瑞昱芯片

联系人:何先生 不同的铁氧体抑制元件，有不同的抑制频率范围。通常磁导率越高，抑制的频率就越低。此外，铁氧体的体积越大，抑制效果越好。在体积一定时，长而细的形状比短而粗的抑制效果好，内径越小抑制效果也越好。但在有直流或交流偏流的情况下，还存在铁氧体饱和的问题，抑制元件横截面越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。　　EMI 吸收磁环/磁珠抑制差模干扰时，通过它的电流值正比于其体积，两者失调造成饱和，降低了元件性能；抑制共模干扰时，将电源的两根线（正负）同时穿过一个磁环，有效信号为差模信号，EMI 吸收磁环/磁珠对其没有任何影响，而对于共模信号则会表现出较大的电感量。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。可以根据它对电磁干扰的抑制原理，合理使用它的抑制作用。 磁珠和电感在EMI和EMC电路中关键是是对高频传导干扰信号进行抑制，也有抑制电感的作用。但从原理方面来看，磁珠可等效成一个电感，等于还是存在一定的 区别，区别在于电感线圈有分布电容。因此，电感线圈就相当于一个电感与一个分布电容并联。如图1所示。图1中，LX为电感线圈的等效电感(理想电 感)，RX为线圈的等效电阻，CX为电感的分布电容。理论上对传导干扰信号进行抑制，要求抑制电感的电感量越大越好，但对于电感线圈来说，电感量越大，则电感线圈的分布电容也越大，两者的作用将会互相抵消。 是普通电感线圈的阻抗与频率的关系图，由图中可以看出，电感线圈的阻抗开始的时候是随着频率升高而增大的，但当它的阻抗增大到值以后，阻抗反而随着 频率升高而迅速下降，这是因为并联分布电容的作用。当阻抗增到值的地方，就是电感线圈的分布电容与等效电感产生并联谐振的地方。图中，L1 > L2 > L3,由此可知电感线圈的电感量越大，其谐振频率就越低。从图2中可以看出，如果要对频率为1MHZ的干扰信号进行抑制，选用L1倒不如选用L3,因为 L3的电感量要比L1小十几倍，因此L3的成本也要比L1低很多。 单层缠绕法就是将电感线圈的线匝以单层的方式缠绕在绝缘管道的外表面上，单层缠绕的方法又分为间接缠绕和紧密缠绕，间接缠绕一般用于一些高频谐振的电路中，因为这种方式的缠绕方法可以将高频谐振线图的电容减少，同时还能将其一些特性稳定。紧密的缠绕方式基础是一些谐振线圈范围比较小的线圈。线圈的电感量比较大的，线圈的缠绕方式是多层的缠绕方法，多层的缠绕方法包括密绕和蜂房缠绕两种类型，密绕的方式排列比较紧密，需要一层一层的分布，它缠绕的线圈产生的电容比较大，蜂房缠绕的方式是在一定角度上进行排列，它的排列不是非常平整，但是跟紧密的缠绕方法相比较，它的电容比较小。一些高压的谐振电路，在进行电感线圈的缠绕时，需要切合电流值和线圈之间的耐压程度，我们在进行电感线圈的缠绕时，还要考虑线圈的热量情况。